拉晶過程全程自動化
在惰性氣體環境中，用石墨加熱器將硅材料熔化，
用直拉法生長無位錯單晶的設備。
性能優勢
設備主體結構優化，提高了整機穩定性。
具有拉制12英寸COP FREE半導體單晶硅棒的功能。
采用新型隔離閥。
液面高度監控系統。
高精度傳動機構。
雙層水冷套、可升降雙層水冷屏。
| 8英寸半導體級單晶爐 | |||
| 型號 | FT-CZ1200Se | ||
| 場所 | 周圍溫度 | 15~30℃ | |
| 周圍濕度 | ≤65%（無結露，腐蝕氣體） | ||
| 潔凈度 | 10000級凈空房 | ||
| 噪音 | ≤75db | ||
| 地基 | 3000kg/㎡以上 | ||
| 電源 | 額定電壓 | 3P 380VAC±10% 50/60Hz | |
| 額定電容 | 320kVA | ||
| 額定流量 | 500A | ||
| 冷卻水 | 流量范圍 | 350~400L/min | |
| 供給壓力 | 0.3~0.4MPa | ||
| 重量 | 設備高度 | ＜8290mm △ | |
| 設備重量 | 約23T | ||
△ 項數據視上爐筒高度而定，本設備數據不含磁場。
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